小型全内腔脉冲Ar~＋激光管的研制

介绍一种小型全内腔脉冲Ａｒ＋激光管的设计和结构。并对不同阴极，放电管直径，激励电压及Ａｒ气压等对输出功率及激光管寿命的影响作了一系列的实验，试制出结构简单，使用方便，价格便宜的有一定实用价值的小型全内脏脉冲Ａｒ＋激光管。     

掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及性能的影响

本文探讨了多种金属氧化物对ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２系材料的改性作用和对其微结构的影响，为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。     

多功能保护与告警自动调压装置

本文叙述了作者设计并制作的具有多种告警和保护功能的３８０Ｖ交流自动调压器的控制装置。它可使调压精度提高到工作电压的士１％以内，并在自动调压器输出电压过高或过低时、或出现故障时进行告警。当出现故障或误动作时自动切断调压电动机的电源。     

基于DSP的空间电压矢量控制的变频系统设计

介绍了电压空间矢量技术的基本原理和数字信号处理器TMS320F240的基本结构，并讨论了基于TMS320F240的变频调速系统的软硬件设计，提出了一般性的结论。     

改进电炉变压器有载调压开关的探讨

分析了目前使用的电炉变压器调压开关的原理及存在的问题，结合生产实际提出了改进方案。     

群时延精确设计的全差分四阶Bessel滤波器

采用MOS管有源电阻,提出了一种全差分R-MOSFET-C四阶Bessel有源低通滤波器,.通过调节工作于亚阈值区的CMOS管的沟道导纳补偿电阻值的大小,能抵消集成电路制造工艺中电阻值的一致偏差,实现Bessel有源滤波器群时延的精确设计.根据无源滤波器的状态方程完成有源滤波器的综合,应用3.3V,0.5μm CMOS工艺完成了群时延大小为0.75μs的四阶Bessel低通滤波器的管极计算机仿真,仿真结果表明所提电路正确有效,适于全集成.     

Thermography of aged contacts of high voltage equipment

New developments in diagnostic tools and systems are necessary for a reliable and economic evaluation of the condition of equipment in power systems. In a research project a tool for the condition of contacts of centre break disconnector, which is used under normal operation by the aid of a thermography measurement system, has been developed. In this paper, an overview about the laboratory investigation of the temperature load behaviour and the environmental influence on-site for new and aged disconnector contacts are given. A condition evaluation tool for contacts, which was the aim of the project, has been created. The basic method for the evaluation is presented, and also two additional easements for a fast identification of suspect contacts are presented. With this evaluation tool and the usage of a thermography based measuring system, a condition based maintenance strategy can be applied, whereby an early detection of damages is possible and so power quality and reliability increase.      

三次谐波定子接地保护动作特性及整定计算分析

发电机功率的变化会对三次谐波电压型定子接地保护的动作特性及整定计算产生影响;当发电机与升压变之间有断路器时，机组并列前后 UN3/ US3 的变化也会对三次谐波电压型定子接地保护的动作特性及整定计算产生影响。对于中性点经消弧线圈接地的发电机，文中利用 UN3- US3 坐标对此进行了分析。     

SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响

欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。     

AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究

制备了大尺寸AlGaInP／GaAs SHBT和DHBT，对其直流特性进行了测试，并分析了AlGaInP／GaA。单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异，深入研究了影响AlGaInP／GaAsHBT开启电压(Voffset)的各个因素。结果表明：AlGaInP／GaAsHBT开启电压与外加基极电流密切相关，采用宽发射区可大大降低器件的开启电压。